Построение передаточной характеристики ПУ

На передаточной характеристике рассматриваемой схемы выделим три участка.

а) Если Uвх ? Uбэнас = 0,8 В, то VT находится в отсечке и Uвых определяется выражением

,

где Е = 9 В, n = 2, I1вх кмдп = 0,1 мкА, Iко = 1 мкА, Rк = 5,62 кОм.

Подставив значения, получим:

б) Если Uвх ? Uбэнас = 0,8 В, то VT открыт и его ток базы равен:

Пока Iб ? Iбнас = транзистор VT находится в активном режиме.

Ток транзистора VT достигает значения при

Поэтому если U*= 0.8 В <Uвх<2,032В, то Iк = в•Iб и согласно

в) Если Uвх?2,032В, то VT находится в насыщении и Uвых= Uкэ нас= 0,2 В

Зависимость Uвых=f(Uвх) представлена на рисунке.

Расчет статической помехоустойчивости

По передаточной характеристике ПУ можно практически найти статическую помехоустойчивость ПУ, которая характеризуется параметрами Uп+ и Uп-

Для этого на графике Uвых = f(Uвх) параллельно оси абсцисс проводим уровни логической "1" и логического "0" на выходе элемента K561ЛЕ5. Абсциссы точек пересечения характеристики с уровнями U1кмдпmin =8,2В и U0кмдпmax =0,3В соответствуют пороговым значениям U1пop=0,9В и U0пop=1,97В. Отложим по оси абсцисс уровни логической "1" и логического "0" на выходе элемента K561ЛЕ5.

Напряжение Uп+ = U1пор - U0ттлmax = 0,9 В - 0,4 = 0,5В характеризует помехоустойчивость схемы ПУ к помеховым выбросам положительной полярности уровня логического "0" на его входе. Напряжение Uп- = U1ттлmin - U0пор = 2,4 - 1,97 = 0,43В характеризует помехоустойчивость схемы ПУ к отрицательным изменениям уровня логической "1".