Выбор биполярного транзистора для схемы ПУ

Для реализации ПУ выберем транзистор КТ503А, который является кремниевым, эпитаксиально-планарным п-р-п универсальным низкочастотным маломощным. Предназначен для работы в усилителях НЧ, операционных и дифференциальных усилителях, импульсных схемах.

Электрические параметры транзистора КТ503А

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при 1К=10 мА, 1б=1 мА, UK3 тс=0,2В.

Напряжение насыщения база-эмиттер при 1к=10 мА, 1б=1 мА, U =0,8 В.

Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером: frp=5 МГц;

Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером: (3=40-5-120; Обратный ток коллектора: 1Кбо.=1 мкА, при UK6 = UK6 нас

Предельно - эксплуатационные данные транзистора КТ201ТА

Постоянное напряжение коллектор - база при Т= 233 - 258С,UK6 Мах~40В.Постоянный ток базы при Т=233-258°К, 1Кб мах=Ю0 мА. Постоянный ток коллектора при Т=233 - 258°К 1Кб мах=150 мА

Постоянная рассеиваемая мощность коллектора при Т=233-298°К - 0,35Вт. Выбор напряжения питания для ПУ Температура окружающей среды 233-358 К. Данный транзистор выбран потому, что его параметры ^=5 МГц, UK3 Нас=0>2 В,

Т=233-358°К удовлетворяют заданному для ДУ требованиям. Напряжение питания ПУ выбрано равным напряжению питания элемента К176ЛА7.

Un=9B ± 5%